收藏本站
Si8441DB
Vishay Siliconix
PACKAGE OUTLINE
MICRO FOOT: 6-BUMP (2 x 3, 0.5 mm PITCH)
6 x ? 0.24 to 0.26 N ote 3
Solder Mask ~ ? 0.25
A
B
C
1
2
B u mp N ote 2
e
e
Recommended Land
6x? b
8 441
D
S
S
XXX
D
S
G
Mark on Backside of Die
s
e
e
s
E
Notes (Unless Otherwise Specified):
1. All dimensions are in millimeters.
2. Six (6) solder bumps are lead (Pb)-free 95.5Sn, 3.8Ag, 0.7Cu with diameter ? 0.30 to 0.32 mm.
3. Backside surface is coated with a Ti/Ni/Ag layer.
4. Non-solder mask defined copper landing pad.
5. · is location of Pin 1.
Dim.
A
A 1
A 2
b
Min.
0.510
0.220
0.290
0.300
Millimeters a
Nom.
0.575
0.250
0.300
0.310
Max.
0.590
0.280
0.310
0.320
Min.
0.0201
0.0087
0.0114
0.0118
Inches
Nom.
0.0224
0.0098
0.0118
0.0122
Max.
0.0232
0.0110
0.0122
0.0126
e
0.500
0.0197
s
D
E
0.230
0.920
1.420
0.250
0.960
1.460
0.270
1.000
1.500
0.0090
0.0362
0.0559
0.0098
0.0378
0.0575
0.0106
0.0394
0.0591
Notes:
a. Use millimeters as the primary measurement.
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?74668.
www.vishay.com
8
Document Number: 74668
S-82119-Rev. C, 08-Sep-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI8447DB-T2-E1 MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT
SI8461DB-T2-E1 MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT
SI8465DB-T2-E1 MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT
SI8800EDB-T2-E1 MOSFET N-CH D-S 20V MICROFOOT
SI9407BDY-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
SI9433BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI9933CDY-T1-E3 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
SIA406DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 12V SC-70-6
相关代理商/技术参数
SI8442 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:QUAD-CHANNEL DIGITAL ISOLATOR
SI8442AA-C-IS1 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 1.0kV Isolatr 1M 2/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
Si8442AA-C-IS1R 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 1.0kV Isolatr 1M 2/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
Si8442AA-D-IS1 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 1.0kV Isolatr 1M 2/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
SI8442AA-D-IS1R 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 1.0kV Isolatr 1M 2/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
Si8442AB-C-IS 功能描述:隔离器接口集成电路 Quad Ch 2.5kV Isolator 1M 2/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
SI8442AB-C-IS1 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 2.5kV Isolatr 1M 2/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
Si8442AB-C-IS1R 功能描述:隔离器接口集成电路 QuadCh 2.5kV Isolatr 1M 2/2 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:2 传播延迟时间: 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:3.6 mA 功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube